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Sviluppo del processo Laser Epitaxial Lift-Off per separare crescite epitassiali da wafer di GaAs

Stazione appaltante: RICERCA SUL SISTEMA ENERGETICO - RSE S.P.A.

Pubblicato
30 settembre 2025
Valore stimato
60.000 €
Procedura
Affidamento diretto
Lotti
1
Documenti
1
Numero dell'avviso
918277254e39405ea6a47d5aab289d18
Riferimento
474f3c5f-633d-42fa-84ec-9334ba57f176
Fonte ufficiale
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Descrizione

Sviluppo del processo Laser Epitaxial Lift-Off per separare crescite epitassiali da wafer di GaAs

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Domande frequenti

Qual è il valore stimato di questa gara?
Il valore stimato pubblicato dalla stazione appaltante è 60.000 €.
Chi è la stazione appaltante di questa gara?
La stazione appaltante è RICERCA SUL SISTEMA ENERGETICO - RSE S.P.A. (Italia).
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