Beschaffung einer Wafer Bonding Anlage
Halbleiterlabor der Max-Planck-Gesellschaft
Geschlossen.
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Beträge und Kennzahlen
Beschreibung
Diese Beschaffung betrifft die •Mechanische, thermische und elektrische Verbindung von extern produzierten Anwender-spezifischen integrierten Schaltkreisen (ASICs) mit den hoch-spezialisierten intern entwickelten und gefertigten Strahlungssensoren •Heterogene Integration von photonischen und elektrischen Baugruppen •Verbindung von vorproduzierten thermo-mechanischen Baugruppen mit aktiven Sensoren und ASICs, um ein effizientes material- und platzsparendes thermisches Management bei Detektorsystem zu erreichen. Die dazu notwendige Technologie ist das sogenannte „Wafer bonding“: die Verbindung von zwei Wafern mit polierten Oberflächen entweder direkt oder über andere funktionale Lagen wie SiO2, Metallen oder Polymeren. Die dabei verwendeten Wafer sind entweder •unprozessiert •haben geätzte oder andersartig strukturierte Oberflächen •vorprozessiert mit mehreren Metalllagen •rekonstituierte Substrate mit einzelnen chips, die vorher mittels geeigneter Methoden aufgebracht wurden. Allgemeine Spezifikation der Wafer, bzw. Substrate: •Durchmesser 150mm und 200 mm, Dicke ca. 100 µm bis 1000 µm Der Prozess des Wafer-Bondens soll manuell ablaufen. Die Waferpaare werden manuell in die ver…
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