Dostawa wertykalnych tranzystorów typu Trench MOSFET w technologii GaN-on-GaN.

Published

15 February 2024

Procedure

neg-wo-call

Lots

1

Notice number

00096256-2024

Reference

fe1b1607-0f11-467c-8e04-9006a1b5e893

Official source

Official source

CPV codes

• 31712350Transistores

Description

Przedmiotem zamówienia są wertykalne tranzystory typu Trench MOSFET w technologii GaN-on-GaN. Tranzystory muszą spełniać następujące parametry: - tranzystory (40 sztuk): • typu Trench MOSFET • rozmiar 3 mm x 3 mm • w technologii GaN-on-GaN, czyli na podłożu z azotku galu (GaN) • otrzymane metodą epitaksji z fazy gazowej z użyciem metaloorganiki (z ang. metaloorganic vapor phase epitaxy; MOVPE) • zaprojektowane na następujące parametry: napięcie blokujące (blocking voltage) 650 V, prąd w stanie włączenia (on-state current) 150 A • zapakowane - tranzystory (80 sztuk): • typu Trench MOSFET • rozmiar 3 mm x 3 mm • w technologii GaN-on-GaN, czyli na podłożu z azotku galu (GaN) • otrzymane metodą epitaksji z fazy gazowej z użyciem metaloorganiki (z ang. metaloorganic vapor phase epitaxy; MOVPE) • zaprojektowane na następujące parametry: napięcie blokujące (blocking voltage) 1200 V, prąd w stanie włączenia (on-state current) 150 A • zapakowane

Awards

Frequently asked questions

Who is the buyer of this tender?

The contracting authority is Instytut Wysokich Ciśnień Polskiej Akademii Nauk (European Union).